Американский производитель памяти вкладывает миллиарды в японское производство - и нацеливается на главный рынок десятилетия
В июле 2026 года Micron Technology приступила к строительству нового чипового завода в Хиросиме. Инвестиции - порядка $9,2-9,3 млрд. Цель предельно конкретна: производство высокоскоростной памяти HBM для ИИ-ускорителей. Массовый выпуск планируется запустить во второй половине 2028 года.
Хиросима - не случайный выбор
У Micron в японском городе уже есть производственные мощности. Именно здесь, по словам генерального директора компании Санджая Мехротры, была изготовлена первая производственная пластина HBM - памяти, без которой современные ИИ-системы попросту не работают. Расширять нужно то, что уже доказало эффективность.
Японское правительство выступает полноценным финансовым партнёром проекта - оно покрывает около трети затрат, выделяя субсидии на сумму от $3,1 до $3,45 млрд. Токио последовательно привлекает полупроводниковые компании на свою территорию, видя в этом стратегический приоритет для технологической независимости страны.
Зачем это Micron - и почему сейчас
Гонка за производство памяти для ИИ набирает обороты. HBM-чипы нужны в огромных объёмах - их устанавливают в серверные ускорители вроде тех, что выпускает NVIDIA. Спрос опережает предложение уже несколько лет подряд. Micron в этом сегменте исторически уступал южнокорейским конкурентам - SK hynix и Samsung - но активно сокращает разрыв.
Хиросимский завод - лишь один фронт из нескольких. Одновременно компания строит два передовых предприятия в родном Бойсе (штат Айдахо) и в январе 2026 года заложила фундамент масштабной площадки под Сиракьюсом в Нью-Йорке - стоимостью уже $100 млрд. Там упор делается на наращивание производства DRAM внутри США, что вписывается в политику возврата стратегических производств на американскую землю.
Что даст новое предприятие
Помимо объёмов, хиросимский проект должен повысить и технические характеристики продукции - энергоэффективность и скорость передачи данных. Оба параметра критичны не только для дата-центров с ИИ-нагрузкой, но и для автономных транспортных систем, где задержки и перегрев недопустимы.
- Объём инвестиций: около $9,2-9,3 млрд
- Государственная субсидия Японии: $3,1-3,45 млрд (около трети затрат)
- Тип продукции: многослойная память с высокой пропускной способностью (HBM)
- Старт массового производства: вторая половина 2028 года
- Применение: ИИ-ускорители, беспилотные автомобили
Пока Samsung и SK hynix наращивают собственные мощности, Micron делает ставку на географическую диверсификацию и господдержку сразу на нескольких рынках. Расчёт понятен: к моменту, когда хиросимский завод выйдет на полную мощность, спрос на HBM-память вырастет ещё кратно.